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彬 唐
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摘要：随着3He气体资源短缺、价格飞涨，基于3He气体的中子探测器已经无法满足急剧增长的中子探测需求。基于6LiF /ZnS(Ag)闪烁体和波移光纤结构的大面积位敏中子探测器，具有高的中子探测效率、高分辨率和高的n/γ抑制能力等优点，可以很好的满足中国散裂中子源(CSNS)上高通粉末衍射仪对中子探测器的需求。6LiF /ZnS闪烁屏作为探测器的重要组成部分，其性能参数——中子探测效率及出射光产额将直接影响探测器的应用．本文利用252Cf中子源，系统研究了几种6LiF /ZnS闪烁屏样品的热中子探测效率和出射光电荷谱，并通过刻度光测试系统中的光电倍增管，估算出三个样品的出射光产额。测试结果表明， 6LiF:ZnS(Ag)质量分数比为1:3的EJ426闪烁体样品，其热中子探测效率为32.4%，出射光产额约为8.0×103，是较为理想的闪烁体型中子探测材料。实际应用中，可以采用双层“三明治”结构进一步提高热中子探测效率以满足探测器的物理设计需求。
关键词：6LiF /ZnS闪烁体；热中子探测效率；出射光产额；中子探测器
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Ms
彬 唐
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