第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会（NED'2018）

高温老化对不同氧化层厚度的PMOS剂量计探头的影响

16 Oct 2018, 14:15

15m

第五会议室（三楼） (湖南衡阳)

Oral 核探测器及其应用的研究成果 第一分会场（3）

Speaker

Mrs 静 孙 (中国科学院新疆理化技术研究所)

Description

PMOS剂量计的工作环境温度一般不同于我们地面标定的环境温度，PMOS剂量计的敏感探头是PMOSFET半导体器件，其阈值电压的受温度的影响较为敏感。因此，了解PMOS剂量计探头的温度效应，对提高PMOS剂量计测量准确度和拓展使用环境范围至关重要。本论文对常用探头进了辐照前的老化试验，通过试验获得温度对器件敏感参数的影响规律，分析温度对探头响应特性的影响规律，以及缺陷的影响机理，为寻找提高PMOS剂量测量稳定性的方法提供数据和理论支持。