第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会（NED'2018）

GaN中子探测器的制备

16 Oct 2018, 08:30

15m

第五会议室（三楼） (湖南衡阳)

Oral 核探测器及其应用的研究成果 第一分会场（1）

Speaker

Dr 志甫 朱 (东华理工大学)

Description

采用6LiF转换层和高密度聚乙烯慢化剂成功制备了GaN基pin中子探测器。估算了6LiF厚度为16.9 µm的中子探测器的中子探测效率在-10V的反向偏压下约为1.7％。