Speaker
Dr
默寒 刘
(中国科学院新疆理化技术研究所)
Description
采用双极工艺技术的器件和电路在电离辐射环境下产生的低剂量率辐射损伤增强（ELDRS）效应为辐射加固保证提出了新的挑战，而进行ELDRS效应评估需要大量的辐照时间。针对这一问题，在对ELDRS效应产生的物理机制研究的基础上，已经提出了几个不同的加速评估实验方法，但这些方法都具有一定的局限性。目前广泛采用的标准方法为美军标MIL-STD883K测试方法1019.9，该方法要求以10mrad(Si)/s的剂量率对双极工艺技术电路进行加速评估，然后以低剂量率辐射损伤增强因子是否大于1.5为判据给出该器件参数是否对ELDRS效应敏感。然而，参数退化的饱和剂量率对于不同器件由不同的表现。近几年，有文献报道显示在许多双极器件在低于10mrad(Si)/s的剂量率下表现出了更为敏感的退化，且部分在10mrad(Si)/s剂量率下评估无ELDRS效应的器件在更低的剂量率下也表现出了ELDRS敏感性，因此在可能会引入新的加速评估问题。在此，我们首次在国内以低于10mrad(Si)/s的剂量率（5mrad(Si)/s，1mrad(Si)/s，0.1mrad(Si)/s）对国产器件在极低剂量率下的ELDRS响应进行了实验研究，计算获得了极低剂量率下的损伤增强因子，发现随着剂量率的降低，损伤继续增加且无ELDRS效应的器件也表现出一定的剂量率敏感性。
Primary authors
Prof.
妩 陆
(中国科学院新疆理化技术研究所)
Dr
默寒 刘
(中国科学院新疆理化技术研究所)
