低维半导体材料红外等离激元性质研究进展

by Prof. 佳宁 陈

Tuesday 11 Dec 2018, 16:00 → 17:00 Asia/Shanghai

3304 (数理楼)

报告摘要： 这个报告，我将介绍与讨论近期我们在石墨烯、III-V族半导体纳米线、碳纳米管等低维材料等离激元性质研究方面做出的一些工作，包括等离激元的激发与电学调控、利用等离激元在缺陷处的反射研究材料生长机制、制备结构调控等离激元的波前、通过电子声子耦合提高局域电磁场的寿命、边界电子态对等离激元反射的影响等。 本次报告基于以下文章： Advanced Materials, 30, 1802551 Advanced Materials, 30, 1800367 Nanoscale, 10, 6288-6293 Advanced Materials, 30, 1705318 Nature Communications, 8, 1471 Advanced Materials, 29, 1702494 Nano Letters, 17, 5908-5913 Advanced Materials, 28, 2931-2938 Science, 344, 1369-1373 Nano Letters, 13, 6210-6215 Nature, 487, 77-81 Nano Letters, 12, 2470 报告人简介： 陈佳宁，本科及研究生毕业于大连理工大学物理系，在瑞典Lund大学和西班牙Nanogune研究所从事博士后研究。现为中国科学院物理研究所研究员、科技部重点研发计划首席科学家，中国光学学会理事、中国物理学会光物理专委会秘书长、中国青年科技工作者协会会员。