Speaker
Yiming 一鸣 Li 李
(IHEP)
Description
未来对撞机实验上通常需要大面积、高空间分辨率、良好时间分辨及抗辐照的带电径迹探测系统，如环形正负电子对撞机、LHCb升级等。高压CMOS具有良好抗辐照性能、快速电荷收集，且可利用成熟的商用CMOS工艺。本报告将介绍探索先进的55nm高压CMOS工艺、用于粒子探测传感器的研发情况。基于Low-Leakage 55nm的COFFEE1芯片达到8-9V击穿电压，并观察到对激光信号响应。基于High-Voltage 55nm的COFFEE2芯片加入了像素内放大器和比较器电路，传感器达到70V击穿电压。其他测试正在进行。
Primary author
Yiming 一鸣 Li 李
(IHEP)
