Conveners
第二分会场（RBS6）
- 勇飞 梁 (四川大学物理学院)
单片HVCMOS探测器通过施加高压电场，在深N阱收集极和高阻衬底之间形成耗尽层作为灵敏区，具有电荷收集速度快、抗辐照能力强等优点。前端读出电路集成到深N阱中，在满足信号处理功能的同时，需要优化功耗、面积并提高性能表现。设计采用55nm HVCMOS 三阱工艺，像素内原型电路主要实现放大、甄别功能，已于23年10月提交流片。目前已经收到芯片，测试工作正在进行中。报告将介绍几种不同的电路设计，分析比较仿真结果，并展示初步的测试结果。
碳化硅（SiC）探测器具有耐高温、抗辐照、快响应、低噪声的优势，但是与之匹配的传统前端电子学对温度敏感，二者之间的长线缆会导致噪声增大，限制了SiC探测器在高温下的性能发挥。本研究提出采用SiC结型场效应管（JFET）作为电荷灵敏前置放大器的输入级晶体管，提高前置放大器的耐高温和低噪声性能。本研究使用了半导体器件仿真研究了SiC-JFET在高温下的输出电学特性和噪声水平，开展了实验制备和性能测试分析。仿真结果表明，相比于Si-JFET，SiC-JFET具有更好的高温稳定性和较宽的工作温度范围。在25~250℃温度范围内，SiC-JFET的跨导变化小于31%。在成形时间0.1~10...
高能环形正负电子对撞机（Circular Electron Positron Collider, CEPC）的顶点探测器，对于重味夸克重建与分辨至关重要。为了实现高精度的物理测量，对内层顶点探测器的物质量、空间分辨率、读出速度以及功耗等方面的性能提出了严苛的要求。为研制顶点探测器原型样机，研发团队研发一款名为TaichuPix的单片式像素探测器芯片，旨在实现优于5 微米的空间分辨率，抗总剂量辐照能力超过1 Mrad，并兼顾 CEPC 顶点探测器的最高击中率需求。TaichuPix芯片基于180 nm CMOS工艺研制，目前已经完成两版小规模原型芯片(25 mm2)和一版全尺寸原型芯片（~ 4 cm2）的设计和验证。本报告将介绍...
