Speaker
Mr
雪洲 朱
(清华大学工程物理系)
Description
本文研制了用于点电极高纯锗探测器的新版低温低噪声CMOS电荷灵敏前放芯片。设计中通过采用片外可调节的偏置模块使芯片在低温下能正常工作，在上一版芯片的基础上，芯片内采用自动复位的开关反馈方式避免了反馈电阻会引入的并联噪声，芯片的输出级具有直接驱动同轴电缆和主放的能力。芯片采用了0.35μm CMOS工艺流片。测试结果表明在低温下芯片能达到6.5个电子的零电容噪声，12us成型时间下的噪声斜率为6.3e/pF。将芯片与点电极高纯锗探测器连接对Cs-137源662keV全能峰的能量分辨率为0.59% FWHM。本文还探讨了PCB基材对噪声性能的影响，及进一步提升系统噪声性能的措施。
关键词：点电极；高纯锗探测器；低噪声；专用集成电路；低温电子学；
Primary author
Mr
雪洲 朱
(清华大学工程物理系)
