9–12 Aug 2026
中州华鼎饭店
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面向高能物理领域的RISC-V片上系统芯片(HERIS)研发

11 Aug 2026, 09:50
15m
太室宴会厅 (中州华鼎饭店坤)

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口头报告 电子学 Parallel 2 - session 1 (electronics)

Speaker

宇鑫 崔 (中国科学院高能物理研究所)

Description

高能物理(HEP)实验日益依赖复杂的专用集成电路(ASIC),这推动了对灵活可编程架构的持续需求。本文提出并设计了一款基于RISC-V架构的系统级芯片(SoC),作为ASIC的通用控制与配置中心。该SoC集成了具备3级流水线的轻量级32位tiny_riscv处理器,支持通过固件执行C语言程序,以高效管理寄存器并实现I²C、SPI等多种通信协议。该SoC作为核心控制单元,计划首次应用于面向低增益雪崩光电二极管(LGAD)读出的专用ASIC——LATRIC中,并采用55纳米CMOS工艺成功完成了流片。流片后测试结果表明,该芯片的功能与性能指标均符合设计预期。目前,团队正围绕该SoC进一步开展抗辐照加固技术研究,以及针对高能物理特定场景的硬件加速算法开发。本报告将详细介绍该SoC的架构设计、在LATRIC芯片中的应用实现、流片测试结果,并展望其在未来HEP实验中的广阔应用前景。

Primary authors

Albert L. ZHANG Qi YAN (IHEP) 娇龙 陈 宇鑫 崔 (中国科学院高能物理研究所) 首栋 骆 (浙江大学)

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