Speaker
Canwen Liu
(清华大学)
Description
点电极高纯锗探测器输入电容低（~2 pF），在低温下漏电流小（~1 pA），能够在低放射性背景下实现高能量分辨率和低能量阈值（~300 eV）。因此，点电极高纯锗探测器已被广泛用于低本底物理实验，比如GERDA（GERmanium Detector Array）和Majorana的无中微子双β衰变 (0υββ) 实验，以及CoGeNT（Coherent Germanium Neutrino Technology）和CDEX（China Dark Matter Experiment）的直接暗物质探测实验。CDEX选择使用在低温低本底环境下工作的大质量点电极高纯锗探测器阵列，获得更高的灵敏度，希望获得探测半衰期达到10^28年的无中微子双β衰变的潜力。
本报告主要介绍用于CDEX-50和CDEX-300ν中，电极高纯锗探测器的信号读出的低温、低噪声、低本底点读出 (L3GeRO) 前放ASIC芯片研制。L3GeRO-2025是一款针对2 pF探测器电容、0.1pA漏电流和77K低温环境优化的电荷敏感前置放大器ASIC芯片，仿真最佳的等效噪声电荷（ENC）为4.5个电子。目前已在77K下对前放ASIC芯片进行了电子学性能验证，并联合点电极高纯锗探测器进行了联合测试。此外，L3GeRO系列的宽动态前放ASIC等芯片也将在报告中介绍。
