Speaker
嘉俊 郝
(清华大学)
Summary
现有的大动态范围前放均为阻容反馈结构，但反馈电阻不仅引入并联噪声，同时不利于降低前端电子学本底。本文设计的二阶放大、双通道输出的大动态范围前放芯片，通过“提前复位”的特殊设计，在不引入反馈电阻的情况下，将死时间占比控制在0.1％水平。大动态范围前放实现了从~ 100 eV到~ 5 MeV的动态范围。大动态范围前放芯片在77 K低温下进行了测试，其中高增益挡的最小ENC为43 e-。通过不同幅度输入信号时的计数率实验，验证了“提前复位”可以有效避免计数损失。对于提高高纯锗探测器在低本底物理实验中的利用效率、降低实验成本具有重要意义。
