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9–11 Aug 2023
湖北
Asia/Shanghai timezone

基于Topmetal传感器的电荷收集芯片性能研究与应用

10 Aug 2023, 10:38
12m
三楼多功能厅02 (华龙城好风光)

三楼多功能厅02

华龙城好风光

Oral 核电子学及其应用的研究成果 第二分会场(RBS2)

Speaker

天宇 梁 (华中师范大学)

Description

Topmetal电荷传感器的工作原理是将芯片最顶层的部分金属块裸露出来,漂移到该金属块上的正或负电荷可不经过雪崩直接被收集,经后续电路处理后读出。本文介绍了一款基于Topmetal传感器研发的电荷收集芯片Topmetal-S,以及利用该芯片搭建的小型时间投影室(TPC)原型机。该芯片基于国产华虹宏力(GSMC)130 nm CMOS工艺,主要包含一个正六边形电荷收集电极、电荷灵敏前置放大器(CSA)和为CSA提供偏置的数字模拟转换器。其中,CSA的核心运放为单端折叠共源共栅结构,具有六个可调整的偏置电压。为抑制闪烁噪声,输入管采用了PMOS管并优化了尺寸。
电荷收集电极周围有一圈保护环用于聚焦。保护环与电极之间形成的保护环电容用于给CSA输入端注入周期脉冲信号。通过与已知电容构建的电桥平衡,测得的保护环电容(输入电容)值为250 fF,芯片的等效噪声电荷为110 e-。芯片输出的动态范围为0-2.557 V,对应的最大电荷数为63417 e-。在注入信号的下降时间为1.92 ms的情况下,芯片输出的上升时间约为3 ms,输出输入比可达到80倍。长时间运行的结果表明芯片输出稳定性良好,几乎不受室温变化的影响。
基于该芯片搭建的小型TPC可用于研究芯片对电荷的收集能力。测试采用的物理信号来自Am-241衰变产生的alpha,能量大约5.5 MeV。TPC的场笼长度为17 cm,上面串联十个等值电阻以确保电场均匀。芯片上方1 cm处有一个半径为3.5 mm的聚焦板。通过调整芯片输出的衰减时间,可以观测到来自Am-241 alpha的信号,证实了芯片对电荷的直接收集能力。

Primary authors

天宇 梁 (华中师范大学) 懿琛 杨 (中国科学院近代物理研究所) 磊 郎 (华中师范大学) 超嵩 高 (华中师范大学) 冬亮 张 (华中师范大学) 虎林 汪 (华中师范大学) 凯 陈 (华中师范大学)

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