Speaker
赫之 张
(大连理工大学)
Description
氧化镓（Ga2O3）材料作为新型宽禁带半导体材料，耐辐照性能好，具有高达4.9eV的禁带宽度,高的击穿场强，好的稳定性，尤其是在高温高压的辐照环境中能展现出大的优势，同时其禁带宽度大于日照波段，是制备全天候就地辐射探测器的理想材料。目前基于Ga2O3 材料的辐射探测器的研究只在仅快中子探测和Ｘ射线探测有所报道，尚未见有关带电粒子探测的研究的报道，对于实现日盲型α粒子探测器也未见报道。
本文制备了基于β-Ga2O3垂直结构的肖特基探测器，实现日盲型α粒子探测器，制备的方形的Ni/Au肖特基接触边长为3mm，Ti/Au欧姆接触背面全覆盖。利用原子力显微镜和X射线衍射仪对材料进行表征，表现出良好的结晶度和0.123nm的均方根粗糙度表明具有良好平整的表面形貌。在α粒子探测中，测量了器件的正向、反向电流-电压特性。使用241Am-α粒子源进行辐照，测试了探测器的粒子能谱，显示了33%的能量分辨率，电荷收集率达89%。
