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9–11 Aug 2023
湖北
Asia/Shanghai timezone

大尺寸4H-SiC肖特基探测器在Back-n束线中的应用

10 Aug 2023, 14:18
12m
四楼VIP02 (华龙城好风光)

四楼VIP02

华龙城好风光

Oral 核探测器及其应用的研究成果 第三分会场(RCS3)

Speaker

泽 龙 (大连理工大学微电子学院,散裂中子源科学中心)

Description

本文制作了大灵敏面积高性能的4H-SiC肖特基型探测器,并在中国散裂中子源白光中子束线中进行了核数据测量的应用。单个探测器灵敏面积达到1 cm2,同时探测器的α粒子最佳能量分辨率为0.79%。探测器在无偏置电压的条件下即可对α粒子产生响应,此时的电荷收集效率(CCE)为45%。在偏置电压达到-50 V及以上时,CCE达到100%。
使用多个4H-SiC探测器组成了探测器阵列,在back-n束线上进行了6Li (n, t) 4He零角度反应产物测量和17O (n, α) 14C反应的微分截面测量工作。4H-SiC材料具有抗辐照的特性,所以在中子辐照的条件下长时间测量仍能够保持稳定工作。在27小时的连续工作中,探测器对特定能量的t粒子测量能谱峰位保持稳定。同时由于探测器兼具大灵敏面积和良好的能量分辨率,既能够清晰的鉴别出不同能量的t粒子和α粒子,从而实现对于反应产物及截面的测量,同时也提高的实验的测量效率,有效的节省了束流时间。

Primary author

泽 龙 (大连理工大学微电子学院,散裂中子源科学中心)

Co-authors

晓川 夏 (大连理工大学微电子学院,散裂中子源科学中心) 伟 蒋 (散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所) 云居 李 (中国原子能科学研究院) 罕涛 敬 (散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所) 梦臣 牛 (大连理工大学微电子学院,散裂中子源科学中心) 红伟 梁 (大连理工大学微电子学院) 瑞睿 樊 (散裂中子源科学中心,中国科学院高能物理研究所,核探测与核电子学国家重点实验室)

Presentation materials