Speaker
力 何
(清华大学)
Description
高纯锗探测器是目前已知能量分辨率最佳的半导体探测器，被广泛应用于核电、环保、国土安全等领域；同时高纯锗晶体还有着极高纯度的特点（纯度可达13个9），使得高纯锗探测器在要求极低本底的基础物理探测实验，如暗物质探测实验中也有着较大范围的应用。
由于高纯锗探测器的高能量分辨率、低能量阈值的特点，因此其对用于探测器信号读出的前端电子学的噪声指标有着非常严格的要求。本文将介绍应用于γ谱仪中P型同轴高纯锗探测器读出的JFET前端电子学方案以及应用于暗物质实验中的P型点电极高纯锗探测器读出的ASIC 电子学方案，分析这两类方案实现低噪声的技术手段，实际达到的噪声水平，并给出这两种电子学读出方案连接高纯锗探测器后的测试情况。本文还将就各类高纯锗探测器中应用到的一些电子学技术做出介绍。
