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CPRE-SiPM-A ——匹配通用芯片的多通道SiPM增益与高压调整芯片设计

17 Jul 2024, 10:30
15m

Speaker

娜 王 (IHEP)

Description

SiPM是放大倍数较大的器件,且放大倍数对所加电压,温度及其敏感,自身也有很大不一致性。多通道应用中,差别甚至可以达到1-2个数量级,给后端软件修正带来很大困难。本研究探讨如何在已有通用放大读出芯片(如CPRE、VA等,带有前放、成形,峰保等结构)的基础上,设计放置于其前端的多通道增益调整和电压调整芯片,从而方便的利用已有芯片进行SiPM的能量读出。其每个通道带有可调DAC与耦合电容,可以分别进行探测器与电子学增益的调整,偏置电压调节范围可达5V。同时,也探讨此时SiPM的偏置方式和后端通用芯片的适当改进措施。由此芯片构建的读出系统将用于掺Li闪烁玻璃+SiPM的4096路一对一读出二维平面中子探测器中。

Primary authors

娜 王 (IHEP) Ke WANG (Institute of high energy physics,CAS) Sen Qian (高能所) 浩龙 廖 (高能所核技术中心) 铮 王 Wei WEI (高能所) Ke Gong (IHEP)

Presentation materials