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55nm单片HVCMOS探测器原型读出电路

17 Jul 2024, 11:00
15m
第二会议室 (黄海饭店)

第二会议室

黄海饭店

黄海饭店会议中心三楼

Speaker

Weiguo Lu (IHEP)

Description

单片HVCMOS探测器通过施加高压电场,在深N阱收集极和高阻衬底之间形成耗尽层作为灵敏区,具有电荷收集速度快、抗辐照能力强等优点。前端读出电路集成到深N阱中,在满足信号处理功能的同时,需要优化功耗、面积并提高性能表现。设计采用55nm HVCMOS 三阱工艺,像素内原型电路主要实现放大、甄别功能,已于23年10月提交流片。目前已经收到芯片,测试工作正在进行中。报告将介绍几种不同的电路设计,分析比较仿真结果,并展示初步的测试结果。

Primary authors

Mei Zhao (高能所, IHEP) Weiguo Lu (IHEP) Yang ZHOU (IHEP) Yiming 一鸣 Li 李 (IHEP)

Presentation materials