Speaker
Weiguo Lu
(IHEP)
Description
单片HVCMOS探测器通过施加高压电场,在深N阱收集极和高阻衬底之间形成耗尽层作为灵敏区,具有电荷收集速度快、抗辐照能力强等优点。前端读出电路集成到深N阱中,在满足信号处理功能的同时,需要优化功耗、面积并提高性能表现。设计采用55nm HVCMOS 三阱工艺,像素内原型电路主要实现放大、甄别功能,已于23年10月提交流片。目前已经收到芯片,测试工作正在进行中。报告将介绍几种不同的电路设计,分析比较仿真结果,并展示初步的测试结果。