Description
硅探测器广泛应用于高能和核物理实验，受到严重的辐射损伤，导致探测器性能下降。这些退化包括泄漏电流的显著增加、体电阻率、空间电荷浓度和自由载流子捕获。随着辐射剂量的不断增加，Si探测器对这种超高辐射的耐受性越来越强。为了提高半导体探测器的辐射电阻，BNL于2005年底提出了三维沟槽Si探测器结构。在对三维沟槽硅探测器的研究基础上，开发了可调的三维地沟硅检测仪的中央采集电极，以提高探测器的性能。新探测器单元的优点是可调，给出了两种调节方式。利用3D TCAD工具对探测器进行了仿真。研究了泄漏电流、自由载流子捕获和中心集电极变化的死区。
Primary author
Mr
lu shunmao
(湘潭大学)
Co-authors
Prof.
Li Zheng
(xiangtanuniversity)
Mr
Liao Chuan
(xiangtan university)
