第二届半导体辐射探测器研讨会暨国际高层论坛 Second Workshop of Semiconductor Radiation Detectors and International High Level Forum

辐照对PMOS剂量计的零温度系数点影响的研究

Not scheduled

15m

湘潭大学

Speaker

Mrs 孙 孙静 (中国科学院新疆理化技术研究所)

Description

作为一种半导体器件，MOSFET的阈值电压对环境温度有密切的依赖关系，同时，辐射感生氧化层正电荷和界面态的生产和退火过程也受到温度的强烈影响。在PMOS剂量计的应用的许多场合，如航天器内、外环境中，温度有较大的变化范围。因此，温度补偿技术对测量结果的影响是PMOS剂量计应用中面临的一个重要的关键技术难点。目前在国内外PMOS剂量计技术中利用“零温度系数点”，通过选择器件的工作电流，我们就可以在不增加系统复杂性的下克服由于温度效应带来的PMOSFET阈电压的变化。但这种方法也有其局限性，如器件的结构和累积辐照剂量等因素直接影响了零温度系数技术的温度校正效果。因此，研究零温度系数技术应用于POMS剂量计的性能，为最大限度的减少剂量监测就显得尤为重要。 本研究采用的零温度系数点的测试方法是在-25℃～55℃范围内选出-25℃、0℃、室温、+55℃这4个恒定温度点下进行测试。将PMOS管的漏极接-5V(该电压值以确保PMOS管工作在恒流区)，改变栅极电压值从0.5V到-12V，在各个温度点平衡后30min后，测出源极电流表的电流值。此次实验共分4个温度点，根据所得到的4条不同温度下I-V曲线簇的一个交叉区间，找出重合的部分，确定零温度系数点。