Speaker
少刚 彭
(中国科学院高能物理研究所)
Description
大型强子对撞机升级后亮度将提高一个量级，为此，ATLAS合作组将采用领域内最前沿的硅探测器和电子学技术，建造全硅径迹探测器（Inner Tracker, ITk）。ITk项目组于2014年正式成立，作为首批单位，中国组加入外层硅微条径迹探测器升级项目，并且开展前端读出电子学芯片设计、探测器模块原型样机的设计与建造等工作。
高能粒子注入芯片将引起电子器件的位翻转等单粒子效应（Single Event Effect），为了在严苛的辐照环境下长期稳定工作，前端读出芯片ABCStar V1采用了三模冗余设计等技术来缓解单粒子效应的影响，提高系统抗辐照性能。为了验证芯片设计的辐射防护机制，我们将芯片暴露于高强度粒子束下，同时检测观察到的SEU来测量单粒子翻转的横截面。本次报告将介绍在中国散裂中子源CSNS的质子束流平台上， 通过单芯片测试系统研究ABCStar V1的SEE效应，重点介绍不同能量(80MeV, 60MeV, 40MeV, 20MeV)下芯片中位翻转的情况，对寄存器和物理数据中的位翻转分开讨论，进而推算探测器系统的位翻转概率。本文同时阐述了实验过程中总剂量效应带来的影响。
