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9–11 Aug 2023
湖北
Asia/Shanghai timezone

基于高压CMOS的LHCb上游径迹探测器升级

10 Aug 2023, 09:30
12m
四楼会议室01 (华龙城好风光)

四楼会议室01

华龙城好风光

Oral 核探测器及其应用的研究成果 第一分会场(RAS1)

Speaker

一鸣 李 (中国科学院高能物理研究所)

Description

为充分发掘大型强子对撞机的味物理研究潜力,LHCb探测器将在2032年后进行亮度升级,现有上游径迹探测器UT需升级为颗粒度更高、抗辐照性能更强的像素型探测器。高压CMOS技术集成传感器和前端电子学,具有良好内禀抗辐照性能,本文介绍基于高压CMOS的UT升级系统方案。在该方案基础上对探测器进行初步数字建模,物质量扫描的初步结果与现有UT相当,为下一步减少物质量、优化设计提供了依据。针对系统的关键参数,如层数和几何接收度开展初步模拟研究。根据现有ATLASPix芯片指标设计了升级后的前端读出系统。同时开展基于55nm工艺的高压CMOS技术探索。

Primary author

一鸣 李 (中国科学院高能物理研究所)

Presentation materials