Speaker
一鸣 李
(中国科学院高能物理研究所)
Description
为充分发掘大型强子对撞机的味物理研究潜力,LHCb探测器将在2032年后进行亮度升级,现有上游径迹探测器UT需升级为颗粒度更高、抗辐照性能更强的像素型探测器。高压CMOS技术集成传感器和前端电子学,具有良好内禀抗辐照性能,本文介绍基于高压CMOS的UT升级系统方案。在该方案基础上对探测器进行初步数字建模,物质量扫描的初步结果与现有UT相当,为下一步减少物质量、优化设计提供了依据。针对系统的关键参数,如层数和几何接收度开展初步模拟研究。根据现有ATLASPix芯片指标设计了升级后的前端读出系统。同时开展基于55nm工艺的高压CMOS技术探索。
Primary author
一鸣 李
(中国科学院高能物理研究所)